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  编者按:ASML的EUV光刻机光源获得严重技能晋级,包含EUV搜集镜寿数超越1年、可用性超越95%、最新光刻机NXE:3600D的单日曝光晶圆数量比2019年添加300%。

  2023年伊始,各种世界光刻会议康复线下活动,光刻范畴的精英们开端陈述一切的范畴的前沿发展,那咱们一同盯梢一下世界EUV光刻技能的一些发展吧。

  2023年3月2日,ASML团队在世界光子学会的“高档光刻和图画化”会议上介绍了极紫外EUV光刻光源的最新发展,咱们的视点来看一下EUV光刻光源近几年的晋级状况。

  2023年3月2日,ASML团队在世界光子学会的“高档光刻和图画化”会议上介绍了极紫外EUV光刻光源的最新发展

  陈述人Karl Umstadter是Cymer的高档工程师,其本行是等离子体物理,从前研讨核聚变等离子体的。

  Karl 2013年参加Cymer团队,其时也正是EUV光刻兴起的关键时期,前期参加EUV光源的杂质(Debris)整理体系,现在现已是ASML的高档首席产品体系工程师。

  1,在ASML的榜首代EUV光刻体系(NXE渠道),EUV光源的发生器(Source vessel)安装在右下方;给EUV光源的激光器则安装在晶圆厂的基层。

  在ASML的榜首代EUV光刻体系(NXE渠道),EUV光源的发生器安装在右下方

  2,在EUV发生器内部,首要进行的是激光脉冲炮击Sn的液滴(Sn droplets),发生的EUV光被搜集镜搜集聚集(Collector optics)、并传送到EUV光刻机的光学部分。

  因为激光脉冲炮击Sn液滴时,会发生各种杂质(Debris)污染搜集镜、导致搜集镜的EUV反射率衰减,所以EUV发生器需求定时整理。因而曩昔十年,Karl团队的首要作业之一便是提高EUV发生器的可用性。

  在2017年的时分,EUV搜集镜反射率的衰减率大约是每十亿次炮击下降0.4%;到2019年,衰减率下降到0.15%;到2021年,衰减率现已下降到0.04%,最近最好的成果现已小于0.02%,这在某种程度上预示着EUV搜集镜寿数能超越1年。

  2019年,ASML报导的EUV发生器的可用性是81%,之后在2020年进行严重改善,一举将可用性提高到91%。之后又在2021年和2022年相继提高到94%和95.5%。

  跟着EUV光刻光源功率和安稳才能的提高,EUV光刻机的产能也得到较大起伏的提高,2022年的最新类型NXE:3600D的单日曝光晶圆数量,现已从2019年的1000片左右提高到3000片左右。

  依据ASML的技能道路的晶圆曝光剂量下,NEX:3600D的出产功率是160 wph(每小时曝光晶圆数),而进一步晋级的NEX:3800E和NXE:4000F机台的出产功率是220 wph 和 250 wph,这就依赖于EUV光源功率的进一步提高。

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